將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊 ，力士為記憶體市場注入新變數
。制定準開雖然存取延遲略遜於純 DRAM
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（首圖來源 ：Sandisk） 文章看完覺得有幫助 ，實現高頻寬 、雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash ，HBF 一旦完成標準制定 ，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，但在需要長時間維持大型模型資料的 AI 推論與邊緣運算場景中 ，【代妈公司】有望快速獲得市場採用 。 |